Merkmale: Die neue Serie besteht aus vollständig automatisierten Geräten für die Oberflächenmetrologie, die als Basismethode die winkelaufgelöste Röntgenphotoelektronenspektroskopie (ARXPS) zur chemischen Analyse und nichtzerstörenden Tiefenprofilanalyse nutzen. Um die erreichbare Informationstiefe der Methode zu erweitern, wird eine umschaltbare monochromatisierte Röntgenquelle variabler Fleckgröße (zwischen 100 μm und 1 mm) genutzt, die neben der üblichen Röntgenphotonenenergie von 1487eV (Al K_α) für oberflächennahe Analysen zwei weitere Röntgenenergien im Bereich der mittleren Röntgenstrahlung von 2984eV (Ag L_α) und harten Röntgenstrahlung 5415eV (Al K_α) anbietet, was auch Volumenanalysen tieferer Probenregionen erlaubt. Der verbaute Elektronenanalysator, der die Emissionswinkel über einen weiten Bereich von 60° parallel detektiert, erlaubt zusammen mit der integrierten Simulationssoftware eine zuverlässige Tiefenprofilanalyse bis zu einer Tiefe von ca. 10 nm. Die Analysen sind dabei nicht nur unter Ultrahochvakuumbedingungen möglich, sondern auch bei Umgebungsdrücken bis ca. 50 mbar. Dazu sind weitere Methoden anwendbar, nämlich UPS/IPES/REELS zur Untersuchung der elektronischen Struktur, chemische Oberflächenabbildung mit XPS/SEM/SAM, ionenbasierte Methoden wie LEISS und Sputtertiefenprofilierung und Strukturuntersuchungen mit Raman und IRRAS. Das hybride Oberflächenmetrologiesystem ist in zwei Versionen erhältlich, eine für Laboranwendungen für maximale Probengrößen von 80 × 80 mm und eine für die Integration in Halbleitersysteme für 200-mm- oder 300-mm-Wafer.