Infineon erhält Österreichischen Staatspreis für Innovation

  • 15. March 2013

Auszeichnung für die in Villach entwickelte Methode der Halbleiterfertigung.

Die Infineon Technologies AG wurde in Österreich mit dem Staatspreis Innovation 2013 ausgezeichnet. Die Ehrung erhielt das Unternehmen für die am Standort Villach, Kärnten, entwickelte 300-Millimeter-Dünnwafer-Technologie. Sabine Herlitschka, Vorstand für Technik und Innovation der Infineon Technologies Austria AG, nahm die Auszeichnung in der Aula der Wissenschaften in Wien vom österreichischen Wirtschaftsminister Reinhold Mitterlehner entgegen. Das Unternehmen konnte sich dieses Jahr in der Kategorie Großunternehmen als einer von sechs Finalisten unter insgesamt 592 Einreichungen landesweit durchsetzen.

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Abb.: Sabine Herlitschka und Reinhold Mitterlehner (Bild: Infineon)

Infineon ist das weltweit erste und einzige Unternehmen, das Leistungshalbleiter auf 300-Millimeter-Dünnwafern fertigt. Dank des größeren Durchmessers im Vergleich zu den gängigen 200-Millimeter-Scheiben können pro Wafer rund zweieinhalbmal so viele Chips gefertigt werden. Kunden profitieren von der neuen Technologie durch schnelle Verfügbarkeit, erhöhte Kapazität und verbesserte Produktivität. Leistungshalbleiter von Infineon zeichnen sich durch niedrige Energieverluste und ihre kleine Bauform aus. Obwohl sie kaum dicker sind als ein Blatt Papier, verfügen die Chips über elektrisch aktive Strukturen auf Vorder- und Rückseite. Die Dünnscheibentechnologie ist dafür die Basis.

„Für die schnelllebige Halbleiterbranche stellt dieser Quantensprung eine technische Revolution dar. Wir sind sehr stolz auf diese Leistung“, sagt Sabine Herlitschka. Infineon wurde im Herbst 2012 bereits zum dritten Mal mit dem Innovationspreis des Bundeslands Kärnten ausgezeichnet. Die Firma hat früh auf die neue Fertigungstechnologie gesetzt und die für das Projekt notwendigen Investitionen bereitgestellt. Zusätzlich wurde durch die Koordination von zwei EU-Forschungsprojekten das Netzwerk für Forschung und Produktion dieser Schlüsseltechnologie in Europa zielorientiert weiter entwickelt.

Kürzlich wurde Infineon in der Kategorie Großunternehmen als Finalist für den Innovationspreis der deutschen Wirtschaft in Frankfurt am Main geehrt. Die Jury zeichnete damit das innovative Konzept einer Verbindung des Halbleitermaterials Siliziumkarbid mit einer neuartigen Anordnung von Transistor-Bauelementen aus. Die darauf basierenden Leistungstransistoren sind besonders effizient und minimieren die Verluste bei der Übertragung und Umwandlung elektrischer Energie. Damit kann die neue Technologie als Grundbaustein für die Leistungselektronik der Energiewende angesehen werden. Leistungshalbleiter von Infineon kommen überall dort zum Einsatz, wo hohe Ströme und Spannungen gesteuert und geschaltet werden, etwa in Servern, PCs, Notebooks, in der Unterhaltungselektronik und Mobilfunkinfrastruktur, in Lichtsystemen, Windkraft- oder Photovoltaik-Anlagen.

Infineon / DE

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